دیتاشیت BUJ100LR,412

BUJ100LR,412

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BUJ100LR,412
حجم فایل 46.52 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

دانلود دیتاشیت BUJ100LR,412

BUJ100LR,412 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: WeEn Semiconductors BUJ100LR,412
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 2.1W
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 10@400mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1mA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 400V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@750mA,250mA
  • Package: TO-92-3
  • Manufacturer: WeEn Semiconductors

دیتاشیت محصولات مشابه